در ارزیابی ساختاری جهت تعیین نقص های ساختار کریستالی روش های متفاوتی به کار می رود.

اولین مورد زدایش است که در مطلب قبلی به آن اشاره شد.
 

بررسی نقشه برداری اشعه X و الکترونی در مدارات مجتمع

روش های دیگر عبارت اند از:

  • نقشه برداری با اشعه X
  • نقشه نگاری دو کریستاله با اشعه X
  • و روش میکروسکوپ الکترونی-عبوری

که در ادامه به بررسی هر یک خواهیم پرداخت.

 

نقشه برداری با اشعه X

از آنجایی که روش زدایش تنها اطلاعات سطحی مربوط به نقص ها را به ما می دهد، جهت بدست آوردن اطلاعات حجمی و مربوط به عمق از اشعه X استفاده می شود.

در این روش نیز نقص های با چگالی بالای 10^6 cm-2 قابل تشخیص نیست.

در روش نقشه برداری با اشعه X، ویفر نمونه مقابل تابش اشعه X قرار می گیرد. ویفر متناسب با اشعه ی مورد تابش به گونه ای چرخش داده می شود که در هر لحظه تنها یک صفحه کریستالی (از لحاظ جهت)دیده شود. نور تابیده شده منعکس شده و نقص ها روی صفحات تصویر برداری مشخص می شوند.

نقص ها با این قانون مشخص می شوند که در صورتی که نقص نباشد با برخورد اشعه X به کریستال، در همه ی قسمت ها در یک جهت منعکس می شود در صورتی که به نقص در مسیر برخورد کند در جهت متفاوتی منعکس می شود. لذا در صورتی که نور به صفحه تصویر نرسد، بدین معناست که نقصی وجود داشته است.

تمامی سطح ویفر لازم است بررسی و نور تابیده شود،

از این جهت می توان گفت این روش وقت گیر است با این وجود جهت رفع این مشکل می توان از چند منبع تابش اشعه X در قسمت های مختلف سطح به طور هم زمان استفاده کرد. این روش معایب روش زدایش، مخرب بودن را ندارد و اطلاعات کاملی راجع به عمق نیز به ما می دهد.

 

نقشه نگاری دوکریستاله با اشعه X

این روش کاملا مانند روش قبل است با این تفاوت که از دو ویفر در انجام کار استفاده می شود. بدین صورت که منبع اشعه X به یک ویفر بدون نقص کریستالی فرستاده می شود و چون اتم ها بدون نقص در شبکه قرار گرفته اند، به صورت موازی پرتوها از ویفر خارج می شوند و به سمت ویفر دوم می روند.

نقص های موجود در این ویفر با نقش نگاری روی صفحه تصویر با انعکاس پرتو تابیده از آن، مشخص می شوند.

 

روش میکروسکوپ الکترونی-عبوری

در این روش میکروسکوپی، یک اشعه الکترونی با انرژی بالا متمرکز شده و به سمت یک نمونه با ضخامت کم فرستاده می شود. در محل هایی که نقص نداریم، اشعه از میان کریستال عبور می کند. در حالی که در محل نقص ها الکترون ها مستقیم عبور نکرده و متفرق می شوند.

با بررسی و تصویربرداری الکترون های عبور کرده و خارج شده از انتهای ویفر، نقص ها مشخص می شوند.

از مشکلات این روش نیاز به ویفر با ضخامت کم است، تا الکترون ها از ویفر بدون نقص به راحتی عبور کنند.