عکس پیش‌فرض نوشته

رفتار عناصر فعال در HSPICE توسط مدل آنها توصیف می شود.

این مدل ها با توجه به ساختار فیزیکی عنصر و بر اساس پارامترهای مربوط به آن بیان می گردند.

 
Learning HSPICE
 

تهیه مدل عنصر نیازمند داشتن اطلاعات کافی از مشخصات فنی آن می باشد که توسط کارخانه سازنده عنصر ارائه می شوند.

 

دیود :

ساختار تعریف قطعه :

Dxxx nplus nminus mname <<AREA=>area> <<PJ=>val>
+<WP=val> <LP=val> <LM=val> <OFF>
+<IC=vd> <M=val> <DTEMP=val>

یا :

Dxxx nplus nminus mname <W=width> <L=length>
+<WP=val> <LP=val> <WM=val> <LM=val> <OFF>
+<IC=vd> <M=val> <DTEMP=val>

یا :

Dxxx nplus nminus mname <W=val <L=val> <WP=val>
+<OFF> <IC=vd> <M=val>

 

که در آن :

Dxxx : نام عنصر دیود است که باید با D شروع شود و کاراکترهای پس از آن مشخص کننده نام عنصر است. تعداد این کاراکترها می تواند حداکثر 1023 باشد.

Nplus : نام گره پایه مثبت است و مقاومت های سری مدار معادل به این پایانه متصل می شوند.

Nminus : نام گره پایه منفی است.

Mname : نام مدل مرجع دیود است.

AREA : مساحت دیود است.

Pj : محیط پیوند گاه می باشد.

WP : عرض خازن پلی سیلیسیمی است.

LP : طول خازن پلی سیلیسیمی می باشد.

WM : عرض خازن فلزی است.

LM : طول خازن فلزی است.

OFF : تعیین کننده حالت اولیه دیود در تحلیل DC است و به عنوان پیشفرض وضعیت آن روشن اختیار می شود.

IC=vd : ولتاژ اولیه دو سر دیود. این مقدار در صورتی مورد استفاده واقع می شود که UIC در دستور .TRAN وجود داشته باشد. مقدار آن توسط دستور .IC باطل می گردد.

M : ضریبی است که برای شبیه سازی چند دیود موازی استفاده می شود. همه جریان ها، خازن ها و مقاومت های موجود در مدل از مقدار این پارامتر تاثیر می پذیرند و مقدار پیش فرض آن مساوی واحد است.

DTEMP : اختلاف بین دمای عنصر و دمای مدار بر حسب درجه سانتیگراد می باشد و مقدار پیشفرض آن مساوی صفر است.

W : عرض دیود بر حسب متر است.

L : طول دیود بر حسب متر است.

 

ترانزیستورپیوند دوقطبی (BJT)

ساختار تعریف قطعه :

Qxxx nc nb ne <ns> mname <area> <OFF>
+<IC=vbeval, vceval> <M=val> <DTEMP=val>

یا :

Qxxx nc nb ne <ns> mname <AREA=area> <AREAB=val>
+<AREAC=val> <OFF> <VBE=vbeval> <VCE=vceval>
+<M=val> <DTEMP=val>

 

که در آن :

Qxxx : نام عنصر BJT است که باید با Q شروع شود و کاراکترهای پس از آن مشخص کننده نام عنصر می باشد. تعداد این کاراکترها می تواند حداکثر 1023 باشد.

Nc : نام گره پایانه کلکتور می باشد.

Nb : نام گره پایانه بیس می باشد.

Ne : نام گره پایانه امیتر می باشد.

Ns : نام گره پایانه بستر می باشد که اختیاری است و می تواند در مدل BJT توسط پارامتر BULK مشخص شود.

Mname : نام مدل مرجع ترانزیستور BJT است.

AREA : ضریب مساحت امیتر است. این ضریب بر مقدار جریان ها، مقاومت ها و خازن ها تاثیر می گذارد و مقدار پیش فرض آن مساوی واحد می باشد.

OFF : تعیین کننده حالت اولیه ترانزیستور در حالت DC است و به عنوان پیشفرض وضعیت آن روشن اختیار می شود.

VCE , VBE : ولتاژهای داخلی اولیه بیس-امیتر و کلکتور-امیتر هستند. این پارامترها در صورتی مورد استفاده واقع می شوند که کلمه کلیدی UIC در دستور .TRAN بیاید. مقدار آنها توسط دستور .IC باطل می گردد.

M : ضریبی که برای شبیه سازی چند BJT موازی مورد استفاده واقع می شود. همه جریان ها، خازن ها و مقاومت ها از مقدار این پارامتر تاثیر می پذیرند. مقدار پیشفرض آن مساوی واحد است.

DTEMP : اختلاف بین دمای عنصر و دمای مدار بر حسب درجه سانتیگراد می باشد و مقدار پیشفرض آن مساوی صفر است.

AREAB : ضریب مساحت بیس است و بر مقدار جریان ها، مقاومت ها و خازن ها تاثیر می گذارد.مقدار پیشفرض آن AREA می باشد.

AREAC : ضریب مساحت کلکتور است که بر مقدار جریان ها ، مقاومت ها و خازن ها تاثیر می گذارد. پیشفرض آن برابر مقدار AREA می باشد.

این آموزش بیش از ۳ سال قبل ارسال شده و اکنون در لیست به‌روزرسانی‌های سایت قرار دارد. اگر پیشنهاد یا انتقادی برای بهبود آموزش دارید، خوشحال می‌شیم به ما اطلاع بدهید.